カーボンナノチューブトランジスタは、現在のスイッチングでシリコンを圧倒する:研究者

エレクトロニクス内のカーボンナノチューブによるシリコンの不可避的な置き換えは、ウィスコンシン・マディソン大学の材料技術者チームが、シリコン・トランジスタを上回る1×1インチ・アライメント・カーボン・ナノチューブ・アレイを作成することで、少し前進しました。

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カーボンナノチューブ抵抗器はシリコントランジスターよりも1.9倍高い「電流を達成する」ことができ、大学は外挿法に従ってシリコンよりも5倍優れていると言っています。試験は、同じサイズ、形状、および漏れ電流のトランジスタ間で行われた。

「ナノチューブの超小型化により、現在の信号が急速に変化し、無線通信機器の帯域幅が大幅に増加する可能性があります」と、同社の声明で述べています。

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チームリードの1人であるマイケル・アーノルド准教授は、カーボンナノチューブを分離し、電気的短絡のように作用する金属性ナノチューブ不純物を除去する技術、ナノチューブを配置して整列させる方法、処理後の残渣を除去する技術溶液。

「我々の研究では、ナノチューブを使ったこれらの課題を同時に克服することができ、シリコンとガリウム砒素トランジスタを上回る画期的なカーボンナノチューブトランジスタを創り出すことができました。

カーボンナノチューブについては、未だ実現されていない誇大宣伝がたくさんあり、多くの人々の見通しを悪化させています。

しかし、私たちは誇大広告に値すると思っています。材料科学が追いつき、これらの材料を効果的に活用できるようにするには、何十年もの作業がかかりました。

この研究は9月2日にScience Advances誌に掲載され、米国国立科学財団、米国陸軍研究庁、米国空軍によって特許と資金提供を受けています。

このチームは、商業生産のためのプロセスの拡大と、シリコン・トランジスタで使用されるジオメトリのマッチングに取り組んでいます。

今年の初めに、Nanteroは、DRAM、フラッシュ、およびシステム生産ラインで製造可能なストレージ用カーボンナノチューブの使用を発表しました。

DRAM上にキャパシタ構造を作るためには多くのマスク層と複雑なステップが必要です」とNantero Greg SchmergelのCEOは6月にウェブサイトに語った。「代わりに、データを格納するカーボンナノチューブの単層で置き換える高コストの要素を低コストの要素に置き換えます。

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